三星開始大規(guī)模生產(chǎn)10納米級DRAM

三星宣布，三星已開始大規(guī)模生產(chǎn)10納米級8千兆位(GB)雙數(shù)據(jù)速率4(DDR 4)DRAM，并于2月份開始生產(chǎn)存儲芯片。

該公司沒有透露確切的尺寸，但一位知情人士告訴ZDNet，它是18納米級的，已經(jīng)運往客戶。

該公司稱，它的傳輸速率為每秒3200兆比特，并為企業(yè)客戶進行了優(yōu)化。

三星是世界上最大的內(nèi)存芯片制造商，是競爭對手SKHynix和Micron中第一個在10納米級制造DRAM的公司。它說它使用了四元組模式技術，首先用于NAND閃爍，在DRAM上。

NAND閃光燈單元只需要一個晶體管，但DRAM需要在每個單元晶體管上安裝一個電容，這要求兩者都集成得更小。

三星表示，由于其非常大規(guī)模的集成技術，新的DRAM處理數(shù)據(jù)的速度比之前的20納米級8GB DDR4DRAM快了30%，耗電量減少了20%。三星于2014年開始生產(chǎn)20納米級DRAM。

該公司表示，該公司正在為PC和服務器生產(chǎn)這些設備，并將在今年晚些時候推出用于移動的DRAM。它自己的旗艦手機和其他那些定于今年秋天發(fā)布的客戶都很有可能獲得芯片。

該公司的目標可能是進一步縮小其DRAM的規(guī)模，在未來的10納米級的早期和中期。

SKHynix和Micron正在開發(fā)自己的10納米級DRAM，并可能在今年年底將其商業(yè)化。

據(jù)Stat is ta的數(shù)據(jù)，截至去年第四季度，該公司在DRAM中的市場份額為46.4%，其次是SK Hynix的27.9%和Micron的18.9%。